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TRANSISTOR IGBT 600V 75A 463W CANALE N postazione O 16

HGTG30N60A4-D
Transistori IGBT 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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Descrizione
Categoria prodotto: Transistori IGBT Tecnologia: Si Package/involucro: TO-247-3 Stile di montaggio: Through Hole Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 600 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1.8 V Tensione gate-emettitore massima: - 20 V, 20 V Collettore a corrente continua a 25 °C: 70 A Pd - Dissipazione di potenza: 463 W Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Corrente continua collettore: 75 A Corrente continua di collettore Ic max: 75 A Corrente di perdita gate-emettitore: +/- 250 nA Altezza: 20.82 mm Lunghezza: 15.87 mm Larghezza: 4.82 mm Peso unità: 6,390 g
Dettagli del prodotto
HGTG30N60A4-D
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