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MOSFET LOW POWER postazione H 15

IPLK60R360PF
MOSFET LOW POWER
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Descrizione
Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: SMD/SMT Package/involucro: ThinPAK-5 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 650 V Id - corrente di drain continua: 8 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 360 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 4 V Qg - Carica del gate: 12.7 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 74 W Modalità canale: Enhancement Tipo di prodotto: MOSFET
Dettagli del prodotto
IPLK60R360PF
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