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MOSFET N-FET 200V 18A 125W 0.18ohm postazione P 15

IRF640
MOSFET RAIL PWR-MOS
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Descrizione
Categoria prodotto: MOSFET Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 200 V Id - corrente di drain continua: 16 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 180 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Pd - Dissipazione di potenza: 136 W Tempo di caduta: 38 ns Altezza: 9.4 mm, Lunghezza: 10.3 mm, Larghezza: 4.5 mm
Dettagli del prodotto
IRF640
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