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MOSFET N-FET 200V 18A 125W 0.18ohm

IRF640
MOSFET RAIL PWR-MOS
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Description
Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 200 V Id - corrente di drain continua: 16 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 180 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 175 C Pd - Dissipazione di potenza: 136 W Modalità canale: Enhancement Configurazione: Single Tempo di caduta: 38 ns Altezza: 9.4 mm Lunghezza: 10.3 mm Tipo di prodotto: MOSFET Tempo di salita: 45 ns Tipo di transistor: 1 N-Channel Ritardo di spegnimento tipico: 54 ns Tipico ritardo di accensione: 12 ns Larghezza: 4.5 mm Peso unità: 2 g
Product Details
IRF640
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