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TRANSISTOR BIPOLARE BJT PNP Medium Power POST. B 10

BCP53-16
Transistor bipolari - BJT PNP Medium Power
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Descrizione
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: SMD/SMT Package/involucro: SOT-223-4 Polarità transistor: PNP Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 80 V Tensione base-collettore VCBO: 100 V Tensione emettitore-base VEBO: 5 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 500 mV Corrente CC massima collettore: 1 A Pd - Dissipazione di potenza: 1.6 W Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 50 MHz Temperatura di lavoro minima: - Temperatura di lavoro massima: + 150 C Corrente continua collettore: - 1 A Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 40 Guadagno in corrente CC hFE max: 250 Altezza: 1.8 mm Lunghezza: 6.3 mm Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors Tecnologia: Si Larghezza: 3.3 mm Peso unità: 112 mg
Dettagli del prodotto
BCP53-16
1 Articolo
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