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TRANSISTOR PRODUCTS postazione F 16

IKW40N120H3
Transistori IGBT IGBT PRODUCTS
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Descrizione
Categoria prodotto: Transistori IGBT Tecnologia: Si Package/involucro: TO-247-3 Stile di montaggio: Through Hole Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 1.2 kV Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2.05 V Tensione gate-emettitore massima: - 20 V, + 20 V Collettore a corrente continua a 25 °C: 80 A Pd - Dissipazione di potenza: 483 W Temperatura di lavoro minima: - 40 C Temperatura di lavoro massima: + 175 C Corrente continua di collettore Ic max: 80 A Corrente di perdita gate-emettitore: 600 nA Tipo di prodotto: IGBT Transistors Peso unità: 38 g
Dettagli del prodotto
IKW40N120H3
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