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TRANSISTOR CANALE N 600V 4A postazione Q16

FQPF4N60
MOSFET 600V N-Channel QFET
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Descrizione
Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 600 V Id - corrente di drain continua: 2.6 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 2.2 Ohms Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 36 W Modalità canale: Enhancement Configurazione: Single Tempo di caduta: 35 ns Transconduttanza diretta - Min: 3.1 S Altezza: 16.3 mm Lunghezza: 10.67 mm Tipo di prodotto: MOSFET Tempo di salita: 45 ns Tipo di transistor: 1 N-Channel Ritardo di spegnimento tipico: 25 ns Tipico ritardo di accensione: 13 ns Larghezza: 4.7 mm Peso unità: 2 g
Dettagli del prodotto
FQPF4N60
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