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Transistor bipolari - BJT 50V Small-Signal BJT
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Descrizione
Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-39-3 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 50 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 520 mV Corrente CC massima collettore: 500 mA Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 300 MHz Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Dettagli del prodotto
2N3725
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Transistor bipolari - BJT 50V Small-Signal BJT