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TRANSISTOR BIPOLARE - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V postazione G 17

TTC004
Transistor bipolari - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V Trans
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Descrizione
Produttore: Toshiba Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT RoHS:: Dettagli Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-126N-3 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 160 V Tensione base-collettore VCBO: 160 V Tensione emettitore-base VEBO: 6 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 500 mV Corrente CC massima collettore: 1.5 A Pd - Dissipazione di potenza: 1.5 W Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 100 MHz Temperatura di lavoro minima: - Temperatura di lavoro massima: + 150 C Serie: TTC004B Confezione: Tube Marchio: Toshiba Corrente continua collettore: 1.5 A Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 140 Guadagno in corrente CC hFE max: 280 Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transist
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TTC004
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