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TRANSISTOR SI-N 80V 1,5A 12,5W 50 MHz postazione E 10

BD139
Transistor bipolari - BJT NPN Audio Amplifier
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Descrizione
Transistor bipolari - BJT Package/involucro: SOT-32-3 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 80 V Tensione base-collettore VCBO: 80 V Tensione emettitore-base VEBO: 5 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 500 mV Corrente CC massima collettore: 1.5 A Pd - Dissipazione di potenza: 1.25 W Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Dettagli del prodotto
BD139
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