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Delivery policy
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(edit with the Customer Reassurance module)
Descrizione
MOSFET Stile di montaggio: SMD/SMT Package/involucro: SOT-23-3 Polarità transistor: P-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 50 V Id - corrente di drain continua: 180 mA Rds On - Drain-source sulla resistenza: 7.5 Ohms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1.1 V Qg - Carica del gate: 260 pC Pd - Dissipazione di potenza: 420 mW
Dettagli del prodotto
BSS84
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