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MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A postazione R 15

IRF7103
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
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Descrizione
Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: SMD/SMT Package/involucro: SOIC-8 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 2 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 50 V Id - corrente di drain continua: 3 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 130 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1 V Qg - Carica del gate: 12 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 2 W
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IRF7103
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