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Descrizione
Categoria prodotto: Transistori IGBT Tecnologia: Si Package/involucro: TO-3PN Stile di montaggio: Through Hole Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 650 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1.9 V Tensione gate-emettitore massima: - 20 V, + 20 V Collettore a corrente continua a 25 °C: 120 A Pd - Dissipazione di potenza: 600 W Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 175 C Serie: FGA60N65SMD Corrente di perdita gate-emettitore: 400 nA Tipo di prodotto: IGBT Transistors Sottocategoria: IGBTs
Dettagli del prodotto
FGA60N65
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