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MOSFET 200V 0,23A 0,8W FORMATO TO-92-3 postazione R 13

BS108
N-MOSFET 200V 0.23A 0,8W FORMATO TO-92-3
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Descrizione
Package/involucro: TO-92-3 Vds - Tensione di rottura drain-source: 200 V Id - corrente di drain continua: 300 mA Rds On - Drain-source sulla resistenza: 5 Ohms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 1 W Marchio: NXP Semiconductors Configurazione: Single Tempo di caduta: 51 ns Tempo di salita: 79 ns Tipo di transistor: 1 N-Channel
Dettagli del prodotto
BS108
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