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Descrizione
Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: SMD/SMT Package/involucro: TO-252-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 100 V Id - corrente di drain continua: 10 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 180 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 16 V, + 16 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1.8 V Qg - Carica del gate: 13.3 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 175 C Pd - Dissipazione di potenza: 3.8 W Modalità canale: Enhancement Configurazione: Single Altezza: 2.3 mm Lunghezza: 6.5 mm Tipo di prodotto: MOSFET Tipo di transistor: 1 N-Channel Larghezza: 6.22 mm Peso unità: 330 mg
Dettagli del prodotto
IRL520NS
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