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TRANSISTOR MOSFET CANALE N 500V 4.5A 100W 1.5 OHM

IRF830
MOSFET 500V N-CH MOSFET
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Description
Categoria prodotto: MOSFET REACH - SVHC: Tecnologia: Si Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 500 V Id - corrente di drain continua: 5 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 1.4 Ohms Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 4.5 V Qg - Carica del gate: 24 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 74 W Modalità canale: Enhancement
Product Details
IRF830
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