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MOSFET QFC 250V 1.0OHM DPAK postazione O 16

FQD6N25
MOSFET QFC 250V 1.0OHM DPAK
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Description
Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: SMD/SMT Package/involucro: TO-252-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 250 V Id - corrente di drain continua: 4.4 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 1 Ohms Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 2.5 W Modalità canale: Enhancement Serie: QFET Configurazione: Single Tempo di caduta: 30 ns Altezza: 2.39 mm Lunghezza: 6.73 mm Tipo di prodotto: MOSFET Tempo di salita: 65 ns Tipo di transistor: 1 N-Channel Ritardo di spegnimento tipico: 7.5 ns Tipico ritardo di accensione: 8 ns Larghezza: 6.22 mm Peso unità: 330 mg
Product Details
FQD6N25
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