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TRANSISTOR JFET ULTRA LOW NOISE, LOW DRIFR, SINGLE N-CHANNEL JFET

LSK189
JFET Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
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Descrizione
Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo Produttore: Linear Integrated Systems Categoria prodotto: JFET RoHS:: Dettagli Tecnologia: Si Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-92-3 Polarità transistor: N-Channel Configurazione: Single Vds - Tensione di rottura drain-source: 60 V Vgs - Tensione di rottura gate-source: - 60 V Tensione di taglio gate-source: - 3.5 V Corrente drain-source a Vgs=0: 5 mA Id - corrente di drain continua: 2 mA Rds On - Drain-source sulla resistenza: - Pd - Dissipazione di potenza: 300 mW Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Serie: LSK189 NPoS Marchio: Linear Integrated Systems Transconduttanza diretta - Min: 1500 uS Tensione drain-gate massima: 15 V Tipo di prodotto: JFETs Sottocategoria: Transistors Peso unità: 211 mg
Dettagli del prodotto
LSK189
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