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MOSFET 20V 100A 4.0mOhm 2.5V DR CPBL postazione E 16

IRLR6225TRPBF
MOSFT 20V 100A 4.0mOhm 2.5V dr cpbl
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Descrizione
MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: SMD/SMT Package/involucro: DPAK-3 (TO-252-3) Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V Id - corrente di drain continua: 100 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 4 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 12 V, + 12 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1.8 V Qg - Carica del gate: 48 nC Pd - Dissipazione di potenza: 63 W Configurazione: Single Altezza: 2.3 mm Lunghezza: 6.5 mm
Dettagli del prodotto
IRLR6225TRPBF
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