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Descrizione
ategoria prodotto: Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-92-3 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 25 V Tensione base-collettore VCBO: 40 V Tensione emettitore-base VEBO: 6 V Corrente CC massima collettore: 1.5 A Pd - Dissipazione di potenza: 1 W Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 100 MHz Temperatura di lavoro minima: - 65 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Dettagli del prodotto
SS8050
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