Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 600 V Id - corrente di drain continua: 11 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 320 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 5 V Qg - Carica del gate: 40 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 36 W Modalità canale: Enhancement Configurazione: Single Tempo di caduta: 56 ns Transconduttanza diretta - Min: 9.7 S Altezza: 16.3 mm Lunghezza: 10.67 mm Tempo di salita: 98 ns Tipo di transistor: 1 N-Channel Ritardo di spegnimento tipico: 119 ns Tipico ritardo di accensione: 34 ns Larghezza: 4.7 mm Peso unità: 2 g