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Descrizione
Categoria prodotto: Transistori IGBT Tecnologia: Si Package/involucro: TO-220-3 Stile di montaggio: Through Hole Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 600 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1.5 V Tensione gate-emettitore massima: - 20 V, 20 V Collettore a corrente continua a 25 °C: 24 A Pd - Dissipazione di potenza: 110 W Temperatura di lavoro minima: - 40 C Temperatura di lavoro massima: + 175 C
Dettagli del prodotto
G10T60-TO220
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