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TRANSISTOR SI-N 100V 15A 90W postazione D 12

BD911
Transistor bipolari - BJT NPN General Purpose
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Descrizione
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 100 V Tensione base-collettore VCBO: 100 V Tensione emettitore-base VEBO: 5 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 3 V Corrente CC massima collettore: 15 A Pd - Dissipazione di potenza: 90 W Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 3 MHz
Dettagli del prodotto
BD911
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