MOSFET TO220

Categoria prodotto: MOSFET Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 650 V Id - corrente di drain continua: 7 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 1.4 Ohms Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2 V Qg - Carica del gate: 36 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 52 W Modalità canale: Enhancement Nome commerciale: QFET Configurazione: Single Tempo di caduta: 55 ns Transconduttanza diretta - Min: 8 S Altezza: 16.07 mm Lunghezza: 10.36 mm Tipo di prodotto: MOSFET Tempo di salita: 50 ns Sottocategoria: MOSFETs Tipo di transistor: 1 N-Channel Ritardo di spegnimento tipico: 90 ns Tipico ritardo di accensione: 20 ns Larghezza: 4.9 mm Peso unità: 2 g