TRANSISTOR SI-N 100V 3A 40W postazione B 17

Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 100 V Tensione base-collettore VCBO: 100 V Tensione emettitore-base VEBO: 5 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1.2 V Corrente CC massima collettore: 3 A Pd - Dissipazione di potenza: 40 W Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 3 MHz Temperatura di lavoro minima: - 65 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Serie: TIP31C Corrente continua collettore: 3 A Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 25 Altezza: 15.75 mm Lunghezza: 10.53 mm Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors Sottocategoria: Transistors Tecnologia: Si Larghezza: 4.83 mm Peso unità: 6 g