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TRANSISTOR MOSFET CANALE-N 200V 49A postazione C 16

IRFP260
MOSFET 200V N-CH HEXFET
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Descrizione
MOSFET Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-247-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 200 V Id - corrente di drain continua: 46 A Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2 V Pd - Dissipazione di potenza: 280 W
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IRFP260
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