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MOSFET P-HEXFET 100V 13.0A 150W postazione S 15

IRF9540
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
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Descrizione
Categoria prodotto: MOSFET Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: P-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 100 V Id - corrente di drain continua: 19 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 200 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 4 V Qg - Carica del gate: 61 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 175 C Pd - Dissipazione di potenza: 150 W
Dettagli del prodotto
IRF9540
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