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TRANSISTOR BIPOLARE BJT NPN 100V 6A 65W postazione Q 10

BD243
Transistor bipolari - BJT 6A 100V 65W NPN
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Descrizione
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 100 V Tensione base-collettore VCBO: 100 V Tensione emettitore-base VEBO: 5 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1.5 V Corrente CC massima collettore: 6 A Pd - Dissipazione di potenza: 65 W Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 3 MHz Temperatura di lavoro minima: - 65 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Corrente continua collettore: 6 A Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 30 Altezza: 9.28 mm Lunghezza: 10.28 mm Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors Larghezza: 4.82 mm Peso unità: 6 g
Dettagli del prodotto
BD243
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