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MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg postazione F 16

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MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

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Descrizione

Categoria prodotto: MOSFET Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 100 V Id - corrente di drain continua: 192 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 4.2 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2 V Qg - Carica del gate: 170 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 175 C Pd - Dissipazione di potenza: 441 W Modalità canale: Enhancement

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