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CIRCUITO INTEGRATO TRANSISTOR BIPOLARE BJT -- LM3086

CA3086
Transistor bipolari - BJT
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Descrizione
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: PDIP-14 Polarità transistor: NPN Configurazione: Penta Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 15 V Tensione base-collettore VCBO: 20 V Tensione emettitore-base VEBO: 5 V Corrente CC massima collettore: 50 mA Pd - Dissipazione di potenza: 300 mW Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 550 MHz
Dettagli del prodotto
CA3086
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