MOSFET CANALE N 600V 5A postazione Q 16

Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 600 V Id - corrente di drain continua: 4.5 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 2.5 Ohms Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 4 V Qg - Carica del gate: 15 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 33 W Modalità canale: Enhancement Configurazione: Single Tempo di caduta: 46 ns Transconduttanza diretta - Min: 4.7 S Altezza: 16.3 mm Lunghezza: 10.67 mm Tipo di prodotto: MOSFET Tempo di salita: 42 ns Tipo di transistor: 1 N-Channel Ritardo di spegnimento tipico: 38 ns Tipico ritardo di accensione: 10 ns Larghezza: 4.7 mm Alias n. parte: FQPF5N60C_NL Peso unità: 2 g