POWER MOSFET N-CHANNEL 48W 13A 500V

Categoria prodotto: MOSFET Tecnologia: Si Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-220-3 Polarità transistor: N-Channel Numero di canali: 1 Channel Vds - Tensione di rottura drain-source: 500 V Id - corrente di drain continua: 13 A Rds On - Drain-source sulla resistenza: 540 mOhms Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2 V Qg - Carica del gate: 56 nC Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C Pd - Dissipazione di potenza: 48 W Modalità canale: Enhancement Nome commerciale: QFET Configurazione: Single Tempo di caduta: 100 ns Transconduttanza diretta - Min: 15 S Altezza: 16.07 mm Lunghezza: 10.36 mm Tipo di prodotto: MOSFET Tempo di salita: 100 ns Tipo di transistor: 1 N-Channel Tipo: MOSFET Ritardo di spegnimento tipico: 130 ns Tipico ritardo di accensione: 25 ns Larghezza: 4.9 mm Peso unità: 2 g