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TRANSISTOR BIPOLARE BJT FORMATO TO-92, 160V, 600mA, NPN postazione G 18

2N5551
Transistor bipolari - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
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Descrizione
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT Stile di montaggio: Through Hole Package/involucro: TO-92 Polarità transistor: NPN Configurazione: Single Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 160 V Tensione base-collettore VCBO: 180 V Tensione emettitore-base VEBO: 6 V Tensione di saturazione collettore-emettitore: 200 mV Corrente CC massima collettore: 600 mA Pd - Dissipazione di potenza: 625 mW Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 100 MHz Temperatura di lavoro minima: - 55 C Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Dettagli del prodotto
2N5551
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